QS5U33TR
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| Référence | QS5U33TR |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.097 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | QS5U33TR | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 240555 pcs | Fiche technique | TSMT5 TR Taping SpecQS5U33 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TSMT5 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 2A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 1.25W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Autres noms | QS5U33TRTR | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | P-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
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