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Référence RF081M2STR
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 661202 pcs
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Référence RF081M2STR Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 661202 pcs Fiche technique RF081M2S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 950mV @ 800mA
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur PMDU
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 25ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOD-123 Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 200V 800mA Surface Mount PMDU Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 800mA Capacité à Vr, F -
Numéro de pièce de base RF081M2S

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