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RF08L6STE25

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Référence RF08L6STE25
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 396829 pcs
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Référence RF08L6STE25 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 396829 pcs Fiche technique RF08L6S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3V @ 800mA
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur PMDS
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 70ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AC, SMA Autres noms RF08L6STE25TR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V Courant - Rectifié moyenne (Io) 800mA
Capacité à Vr, F - Numéro de pièce de base RF08L6S

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