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RFN20TF6S

RFN20TF6S
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Référence RFN20TF6S
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 67861 pcs
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Référence RFN20TF6S Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 67861 pcs Fiche technique RFN20TF6S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55V @ 20A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur TO-220NFM
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 60ns Emballage Bulk
Package / Boîte TO-220-2 Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220NFM Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A Capacité à Vr, F -

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