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RFN2L6STE25

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Référence RFN2L6STE25
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 181394 pcs
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Référence RFN2L6STE25 Fabricant LAPIS Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 181394 pcs Fiche technique RFN2L6S
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55V @ 1.5A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur PMDS
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AC, SMA Autres noms RFN2L6STE25TR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount PMDS
Courant - fuite, inverse à Vr 1µA @ 600V Courant - Rectifié moyenne (Io) 1.5A
Capacité à Vr, F -

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