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SP8M8FU6TB

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Référence SP8M8FU6TB
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 101036 pcs
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Référence SP8M8FU6TB Fabricant LAPIS Semiconductor
La description MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 101036 pcs Fiche technique SP8M8
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-SOP Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V Puissance - Max 2W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V
type de FET N and P-Channel Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A, 4.5A Numéro de pièce de base *M8

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