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CSD18540Q5B

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Référence CSD18540Q5B
Fabricant N/A
La description MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 78107 pcs
Référence Prix
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Référence CSD18540Q5B Fabricant N/A
La description MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 78107 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 28A, 10V Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms 296-41076-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 35 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4230pF @ 30V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)

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