CSD25201W15
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| Référence | CSD25201W15 |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | CSD25201W15 | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4675 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | -6V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 9-DSBGA | Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 2A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | 9-UFBGA, DSBGA |
| Autres noms | 296-27609-1 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V | Description détaillée | P-Channel 20V 4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
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