CSD25304W1015
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| Référence | CSD25304W1015 |
|---|---|
| Fabricant | N/A |
| La description | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | 6000 pcs | 15000 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.079 | $0.074 | $0.069 | |||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | CSD25304W1015 | Fabricant | N/A |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 307999 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-DSBGA | Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 750mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 6-UFBGA, DSBGA |
| Autres noms | 296-40005-2 CSD25304W1015-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V | Description détaillée | P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
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