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NAND512R3A2SN6F

NAND512R3A2SN6F
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Référence NAND512R3A2SN6F
Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4029 pcs
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Référence NAND512R3A2SN6F Fabricant Micron Technology
La description IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4029 pcs Fiche technique NAND512(R,W)(3,4)A2S
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 50ns
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V La technologie FLASH - NAND
Package composant fournisseur 48-TSOP Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 512Mb (64M x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire FLASH Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 50ns 48-TSOP Temps d'accès 50ns

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