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NAND512R3A2BZA6E

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Référence NAND512R3A2BZA6E
Fabricant STMicroelectronics
La description IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 9427 pcs
Référence Prix
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Référence NAND512R3A2BZA6E Fabricant STMicroelectronics
La description IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 9427 pcs Fiche technique NAND128/256/512/01G-A (V7.0)
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 60ns
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V La technologie FLASH - NAND
Package composant fournisseur 63-VFBGA (8.5x15) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 63-VFBGA
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 512Mb (64M x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire FLASH Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 63-VFBGA (8.5x15) Numéro de pièce de base NAND512
Temps d'accès 60ns

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