2N3019
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| Référence | 2N3019 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS NPN 80V 1A TO-5 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 250 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $7.768 | $7.185 | $6.602 | $6.136 | $5.631 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N3019 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 80V 1A TO-5 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 6820 pcs | Fiche technique | 2N3019 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-5 | Séries | - |
| Puissance - Max | 800mW | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Autres noms | 2N3019MS |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
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