2N3019S
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| Référence | 2N3019S |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS NPN 80V 1A TO-39 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.043 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2N3019S | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 80V 1A TO-39 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5072 pcs | Fiche technique | 2N3019S |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-39 (TO-205AD) | Séries | - |
| Puissance - Max | 800mW | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A |
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