2N5014
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| Référence | 2N5014 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | NPN SILICON TRANSISTOR |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | 2N5014 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | NPN SILICON TRANSISTOR | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 4242 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 900V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | TO-5 |
| Séries | - | Puissance - Max | 1W |
| Package / Boîte | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
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