2N5014S
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| Référence | 2N5014S |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANSISTOR NPN TO-39 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | 2N5014S | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANSISTOR NPN TO-39 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5267 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 900V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 20mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-39 (TO-205AD) | Séries | Military, MIL-PRF-19500/727 |
| Puissance - Max | 1W | Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
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