APT102GA60B2
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| Référence | APT102GA60B2 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | IGBT 600V 183A 780W TO247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT102GA60B2 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 600V 183A 780W TO247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5265 pcs | Fiche technique | APT102GA60(B2,L) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A | Condition de test | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 28ns/212ns | énergie de commutation | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Séries | POWER MOS 8™ | Puissance - Max | 780W |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 Variant |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard | type de IGBT | PT |
| gate charge | 294nC | Description détaillée | IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 307A | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 183A |
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