APT10M07JVR
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| Référence | APT10M07JVR |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT10M07JVR | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4813 pcs | Fiche technique | APT10M07JVR |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | ISOTOP® | Séries | POWER MOS V® |
| Dissipation de puissance (max) | 700W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | SOT-227-4, miniBLOC | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1050nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 225A (Tc) |
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