APT10SCD65K
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| Référence | APT10SCD65K |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE SILICON 650V 17A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT10SCD65K | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 6033 pcs | Fiche technique | APT10SCD65K |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.8V @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 650V | Package composant fournisseur | TO-220 [K] |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0ns | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-220-2 | Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] | Courant - fuite, inverse à Vr | 200µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 17A | Capacité à Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
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