APT65GP60B2G
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| Référence | APT65GP60B2G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | IGBT 600V 100A 833W TMAX |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 270 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $7.749 | $7.046 | $6.518 | $5.989 | $5.461 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT65GP60B2G | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 600V 100A 833W TMAX | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5980 pcs | Fiche technique | APT65GP60B2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A | Condition de test | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 30ns/91ns | énergie de commutation | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Séries | POWER MOS 7® | Puissance - Max | 833W |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 Variant |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard | type de IGBT | PT |
| gate charge | 210nC | Description détaillée | IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 250A | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100A |
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