APT66M60B2
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| Référence | APT66M60B2 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 30 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.094 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APT66M60B2 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4893 pcs | Fiche technique | Power Products CatalogAPT66M60(B2,L) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | T-MAX™ [B2] | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 33A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 1135W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 Variant |
| Autres noms | APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 23 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13190pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
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