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APT95GR65B2

APT95GR65B2
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Référence APT95GR65B2
Fabricant Microsemi
La description IGBT 650V 208A 892W T-MAX
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 12461 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
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$4.123$3.71$3.381
120 pcs270 pcs510 pcs
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Référence APT95GR65B2 Fabricant Microsemi
La description IGBT 650V 208A 892W T-MAX État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 12461 pcs Fiche technique APT95GR65B2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 95A Condition de test 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 29ns/226ns énergie de commutation 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2] Séries -
Puissance - Max 892W Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 28 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT NPT
gate charge 420nC Description détaillée IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX™ [B2]
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 400A Courant - Collecteur (Ic) (max) 208A

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