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APT97N65LC6

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Référence APT97N65LC6
Fabricant Microsemi
La description MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4985 pcs
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Référence APT97N65LC6 Fabricant Microsemi
La description MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4985 pcs Fiche technique APT97N65x(2)C6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.96mA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-264 [L] Séries CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 48.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 862W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7650pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 97A (Tc) 862W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 97A (Tc)

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