APTM120DA56T1G
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| Référence | APTM120DA56T1G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | APTM120DA56T1G | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4333 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SP1 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 672 mOhm @ 14A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 390W (Tc) |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP1 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7736pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
| Description détaillée | N-Channel 1200V 18A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
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