APTM120H57FTG
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| Référence | APTM120H57FTG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTM120H57FTG | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5387 pcs | Fiche technique | Power Products CatalogAPTM120H57FTG |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Package composant fournisseur | SP4 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 684 mOhm @ 8.5A, 10V | Puissance - Max | 390W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP4 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Description détaillée | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 17A |
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