APTM120U10DAG
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| Référence | APTM120U10DAG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTM120U10DAG | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5895 pcs | Fiche technique | APTM120U10DAGPower Products Catalog |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | SP6 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3290W (Tc) |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP6 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
| Description détaillée | N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
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