APTM20DHM08G
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| Référence | APTM20DHM08G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTM20DHM08G | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5369 pcs | Fiche technique | Power Products CatalogAPTM20DHM08G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Package composant fournisseur | SP6 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 104A, 10V | Puissance - Max | 781W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP6 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 208A |
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