APTM20DHM20TG
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| Référence | APTM20DHM20TG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | APTM20DHM20TG | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5063 pcs | Fiche technique | APTM20DHM20TG |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Package composant fournisseur | SP4 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 44.5A, 10V | Puissance - Max | 357W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SP4 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6850pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 89A 357W Chassis Mount SP4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 89A |
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- Partie#:
UP050CH120J-NAC - Fabricant:
Taiyo Yuden - La description:
CAP CER 12PF 50V C0H AXIAL - En stock:
2737981