APTSM120AM09CD3AG
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| Référence | APTSM120AM09CD3AG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $222.983 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | APTSM120AM09CD3AG | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 152 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Package composant fournisseur | Module | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Module | Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) Chassis Mount Module |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 337A (Tc) |
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