APTSM120AM14CD3AG
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| Référence | APTSM120AM14CD3AG |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | POWER MODULE - SIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $155.81 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | APTSM120AM14CD3AG | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | POWER MODULE - SIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 210 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Package composant fournisseur | Module | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V | Puissance - Max | 2140W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | Module |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V | type de FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Fonction FET | Silicon Carbide (SiC) | Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 337A (Tc) |
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