JANTXV1N5419US

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Référence	JANTXV1N5419US
Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS

~~In Stock~~ 4120 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	100 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	$9.049

Paramètre de produit
Fiche technique

Product parameter

Référence	JANTXV1N5419US	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4120 pcs	Fiche technique	1N5415 - 20US
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.5V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max)	500V	Package composant fournisseur	D-5B
La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)	Séries	Military, MIL-PRF-19500/411
Temps de recouvrement inverse (trr)	250ns	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SQ-MELF, B	Autres noms	1086-18927 1086-18927-MIL
Température d'utilisation - Jonction	-65°C ~ 175°C	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 500V 3A Surface Mount D-5B
Courant - fuite, inverse à Vr	1µA @ 500V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	3A
Capacité à Vr, F	-

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