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JANTXV1N5420US

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Référence JANTXV1N5420US
Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4010 pcs
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Référence JANTXV1N5420US Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 600V 3A D5B État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4010 pcs Fiche technique 1N5415 - 20US
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.5V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur D-5B
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries Military, MIL-PRF-19500/411
Temps de recouvrement inverse (trr) 400ns Emballage Bulk
Package / Boîte SQ-MELF, B Autres noms 1086-2816
1086-2816-MIL
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B Courant - fuite, inverse à Vr 1µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A Capacité à Vr, F -

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