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JANTXV1N5615

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Référence JANTXV1N5615
Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 7301 pcs
Référence Prix
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$4.669

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Référence JANTXV1N5615 Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 7301 pcs Fiche technique 1N5615 - 1N5623
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.6V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries Military, MIL-PRF-19500/429 Temps de recouvrement inverse (trr) 150ns
Emballage Bulk Package / Boîte A, Axial
Autres noms 1086-2825
1086-2825-MIL		 Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 200V 1A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr 500nA @ 200V Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F 45pF @ 12V, 1MHz

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