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JANTXV1N5620

JANTXV1N5620
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Référence JANTXV1N5620
Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 800V 1A
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 8427 pcs
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Référence JANTXV1N5620 Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 800V 1A État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 8427 pcs Fiche technique 1N5614 thru 22
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 800V La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries Military, MIL-PRF-19500/427 Temps de recouvrement inverse (trr) 2µs
Emballage Bulk Package / Boîte A, Axial
Autres noms 1086-2832
1086-2832-MIL		 Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 200°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 800V 1A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr 500nA @ 800V Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F -

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