PSMN8R5-100PSFQ
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| Référence | PSMN8R5-100PSFQ |
|---|---|
| Fabricant | Nexperia |
| La description | MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.343 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | PSMN8R5-100PSFQ | Fabricant | Nexperia |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 66024 pcs | Fiche technique | PSMN8R5-100PSF |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 25A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 183W (Ta) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 934070402127 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3181pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 7V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 98A (Ta) 183W (Ta) Through Hole TO-220AB | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 98A (Ta) |
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