PSMN8R5-100PSQ
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| Référence | PSMN8R5-100PSQ |
|---|---|
| Fabricant | Nexperia |
| La description | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.768 | $0.619 | $0.557 | $0.433 | $0.359 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | PSMN8R5-100PSQ | Fabricant | Nexperia |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 99199 pcs | Fiche technique | PSMN8R5-100PS |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 25A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 263W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 1727-1053 568-10160-5 568-10160-5-ND 934067376127 PSMN8R5100PSQ |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5512pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | N-Channel 100V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tj) |
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