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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR212100L

UNR212100L

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Référence UNR212100L
Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence UNR212100L Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5533 pcs Fiche technique UNR212x Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur Mini3-G1 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 2.2 kOhms Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms UNR212100LTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA

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