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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR211800L

UNR211800L

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Référence UNR211800L
Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4424 pcs
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Référence UNR211800L Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4424 pcs Fiche technique UNR211x Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur Mini3-G1 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 5.1 kOhms Résistance - Base (R1) 510 Ohms
Puissance - Max 200mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms UN2118
UN2118CT
UN2118CT-ND
UNR211800LCT
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 80MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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