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BYT30PI-1000

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Référence BYT30PI-1000
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 14356 pcs
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Référence BYT30PI-1000 Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 14356 pcs Fiche technique BYT30PI-1000
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.9V @ 30A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur DOP3I
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 165ns Emballage Bulk
Package / Boîte DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Autres noms 497-2424
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 1000V 30A Through Hole DOP3I
Courant - fuite, inverse à Vr 100µA @ 1000V Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A
Capacité à Vr, F -

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