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BYW4200B-TR

BYW4200B-TR
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Référence BYW4200B-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 124896 pcs
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Référence BYW4200B-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 124896 pcs Fiche technique SMBYW04-200, BYW4200B
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.25V @ 12A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur DPAK
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 200V 4A Surface Mount DPAK Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A Capacité à Vr, F -

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