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MJD112T4

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Référence MJD112T4
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 194959 pcs
Référence Prix
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Référence MJD112T4 Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 194959 pcs Fiche technique MJD11x
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A Transistor Type NPN - Darlington
Package composant fournisseur DPAK Séries -
Puissance - Max 20W Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Autres noms 497-2462-1
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 25MHz Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 20W Surface Mount DPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 20µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2A Numéro de pièce de base MJD112

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