PD20010-E
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| Référence | PD20010-E |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $6.608 | $5.819 | $5.127 | $4.561 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | PD20010-E | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 8434 pcs | Fiche technique | PD20010-E |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 13.6V |
| Tension - Nominale | 40V | Transistor Type | LDMOS |
| Package composant fournisseur | PowerSO-10RF (Formed Lead) | Séries | - |
| Alimentation - sortie | 10W | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | Autres noms | 497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E |
| Noise Figure | - | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 25 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain | 11dB | La fréquence | 2GHz |
| Description détaillée | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead) | Note actuelle | 5A |
| Courant - Test | 150mA | Numéro de pièce de base | PD20010 |
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