PD20010STR-E
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| Référence | PD20010STR-E |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | PD20010STR-E | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5350 pcs | Fiche technique | PD20010-E |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 13.6V |
| Tension - Nominale | 40V | Transistor Type | LDMOS |
| Package composant fournisseur | PowerSO-10RF (Straight Lead) | Séries | - |
| Alimentation - sortie | 10W | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) | Autres noms | 497-10095-1 |
| Noise Figure | - | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Gain | 11dB |
| La fréquence | 2GHz | Description détaillée | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Note actuelle | 5A | Courant - Test | 150mA |
| Numéro de pièce de base | PD20010 |
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