STB11NM80T4
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| Référence | STB11NM80T4 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.433 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STB11NM80T4 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 27451 pcs | Fiche technique | STx11NM80 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D2PAK | Séries | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | 497-4319-2 | Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
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