STB120N10F4
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| Référence | STB120N10F4 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STB120N10F4 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5171 pcs | Fiche technique | STB,P120N10F4 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | - |
| Package composant fournisseur | D2PAK | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| type de FET | - | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Description détaillée | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
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