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STB300NH02L

STB300NH02L
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Référence STB300NH02L
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 12906 pcs
Référence Prix
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Référence STB300NH02L Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 12906 pcs Fiche technique ST(B,P)300NH02L
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 80A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-7945-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7055pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 109.4nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 24V Description détaillée N-Channel 24V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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