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STB30N80K5

STB30N80K5
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Référence STB30N80K5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 21606 pcs
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Référence STB30N80K5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 21606 pcs Fiche technique STB30N80K5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 12A, 10V Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1530pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 800V Description détaillée N-Channel 800V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)

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