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STD100N10F7

STD100N10F7
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Référence STD100N10F7
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N CH 100V 80A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 79674 pcs
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Référence STD100N10F7 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N CH 100V 80A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 79674 pcs Fiche technique STx100N10F7 DataSheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V Dissipation de puissance (max) 120W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-13548-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4369pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V Description détaillée N-Channel 100V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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