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STD100N10LF7AG

STD100N10LF7AG
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Référence STD100N10LF7AG
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 73810 pcs
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Référence STD100N10LF7AG Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 80A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 73810 pcs Fiche technique STD100N10LF7AG
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 40A, 10V Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount DPAK Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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