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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STD13N65M2

STD13N65M2

STD13N65M2
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Référence STD13N65M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 64660 pcs
Référence Prix
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Référence STD13N65M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 10A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 64660 pcs Fiche technique STD13N65M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 5A, 10V Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-15460-2 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V Description détaillée N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)

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