STD14NM50NAG
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| Référence | STD14NM50NAG |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.301 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STD14NM50NAG | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 75893 pcs | Fiche technique | Power MOSFET Selection Guide |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DPAK | Séries | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 90W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 816pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 500V |
| Description détaillée | N-Channel 500V 12A (Tc) 90W Surface Mount DPAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
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